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　　為扶持中國自己的芯片產(chǎn)業(yè)，用國產(chǎn)化來(lái)解決對國外廠(chǎng)商重度依賴(lài)的問(wèn)題，2014年，國務(wù)院發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，明確了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的遠期目標，即到2023年，產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節達到國際先進(jìn)水平。為了實(shí)現這一目標，在工信部、財政部的指導下，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金設立，俗稱(chēng)大基金。

　　隨著(zhù)今年5月24日國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司的成立，大基金目前已投資三期，第三期注冊資本3440億元，投資規模超過(guò)了第一期與第二期總和，國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的持續投資增強，無(wú)疑是為這一領(lǐng)域的從業(yè)者們注入了一劑強心劑，極大地提振了行業(yè)信心和創(chuàng )新活力。而截止目前，大基金一期基本已投資完畢，二期恰逢投資周期中間，此時(shí)對一期、二期的投資數據進(jìn)行盤(pán)點(diǎn)，則能較為全面的看清未來(lái)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢以及國家重點(diǎn)關(guān)注的領(lǐng)域?？深A見(jiàn)的是，未來(lái)，處于上游的半導體材料、半導體設備及其零部件或將成為投資重點(diǎn)，科學(xué)儀器行業(yè)也將得到新的發(fā)展機遇。

　　大基金一期投資布局：制造是重點(diǎn)

　　大基金一期成立于2014年9月，注冊資本987.2億元，最終募集資金總額為1387億元，存續期限為2014年9月26日至2024年9月25日，存續期限10年。公開(kāi)資料顯示，一期對外投資企業(yè)共74家，投資分布大致為集成電路制造占67%，設計占17%，封測占10%，裝備材料類(lèi)占6%?？梢钥闯?，制造領(lǐng)域是一期基金投資的重點(diǎn)，其次是IC設計和封測產(chǎn)業(yè)，而投資占比較小的是半導體設備、材料等上游產(chǎn)業(yè)鏈。

　　從投資地區分布來(lái)看，投資的74家企業(yè)分布在11個(gè)地區，Top 5分別是上海、江蘇、北京、浙江、廣東，其中上海更是占據總投資企業(yè)數量的28.38%，高居榜首。投資地區較為集中在以上海為主的東部沿海城市，北方城市則以北京最為集中。這些地區成熟的半導體產(chǎn)業(yè)鏈和人才優(yōu)勢等方面優(yōu)勢更有利于推動(dòng)國內半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和國產(chǎn)替代。

　　大基金一期的成功募集與廣泛投資顯著(zhù)帶動(dòng)了社會(huì )資本投入，撬動(dòng)杠桿高達1:5，為集成電路產(chǎn)業(yè)提供了強有力的資金支持。同時(shí)，市場(chǎng)化的運作，也有效促進(jìn)了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，促進(jìn)了上下游企業(yè)間的合作，在制造、設計、封測、設備以及材料等領(lǐng)域都取得了良好的進(jìn)展與有效的突破。推動(dòng)了國內芯片制造從成熟制程邁向先進(jìn)制程，填補了國內在半導體設備和材料領(lǐng)域的部分空白，提高了產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控能力，加快了半導體設備國產(chǎn)化進(jìn)程，部分技術(shù)壁壘較低的設備已實(shí)現30%~40%的國產(chǎn)化率，但一些技術(shù)壁壘較高的設備國產(chǎn)化率較低，甚至不到5%，如光刻設備、量檢測設備等。而大基金二期、三期的投入或將幫助國產(chǎn)半導體設備從底層零部件角度實(shí)現超越。

　　大基金二期投資布局：更多元

　　二期成立于2019年10月22日，注冊資本2041.5億元，營(yíng)業(yè)期限為2019年10月22日至2029年10月21日，存續期限與一期相同均為10年。但二期與一期不同的是，二期投資領(lǐng)域更多元化，體現在行業(yè)、地區等方面。

　　行業(yè)多元

　　從投資數量上來(lái)看，二期投資行業(yè)更加多元，分布大致為制造36.36%、材料16.36%、設備14.55%、芯片設計14.55%、封測5.45%、集成電路設計工具5.45%、算力芯片5.45%、軟件（CIM/MES等軟件）1.82%?？擅黠@看出，相較于一期，二期投資的行業(yè)有較大變化。制造業(yè)仍處于投資的重點(diǎn)，超過(guò)80%的資金流向了重資產(chǎn)的制造領(lǐng)域。中芯南方、長(cháng)江存儲、華虹半導體這三家制造企業(yè)在一期和二期中均得到了投資。其中存儲芯片制造企業(yè)長(cháng)鑫存儲、長(cháng)江存儲受到青睞，隨著(zhù)AI技術(shù)以及大算力的需求越來(lái)越旺盛，存儲的市場(chǎng)空間還將會(huì )進(jìn)一步增長(cháng)。

　　作為產(chǎn)業(yè)鏈的短板環(huán)節，處于集成電路產(chǎn)業(yè)上游的材料和設備投資占比則大幅增加，超過(guò)了10%的份額。細分來(lái)看，材料領(lǐng)域包括了光刻膠、掩膜版、硅片、電子特種氣體、濕電子化學(xué)品等在內的大部分半導體材料。設備領(lǐng)域包括了探針臺、分選機、離子注入機、CMP、劃片機、晶圓自動(dòng)化傳輸設備等。值得注意的是，半導體設備零部件廠(chǎng)商臻寶科技、鐠芯電子也在投資列表中，這是大基金首次布局半導體零部件公司。當前國內半導體設備零部件企業(yè)的技術(shù)能力、工藝水平、產(chǎn)品精度和可靠性與國外差距較大，整體國產(chǎn)化率僅為10%-30%，一些零部件的國產(chǎn)化率幾乎為零。大基金的資金注入勢必將加快關(guān)鍵零部件的國產(chǎn)化進(jìn)程，提高國內半導體設備的自給能力。

　　另外，北京清微智能、上海燧原科技、北京奕斯偉三家算力芯片領(lǐng)域企業(yè)也得到了投資，這將有助于引導資源向這一高端領(lǐng)域集中，促進(jìn)企業(yè)更多的投入到先進(jìn)制程和高性能芯片的研發(fā)中，加速技術(shù)突破，縮小與國際先進(jìn)水平的差距。而這也將帶動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的協(xié)同發(fā)展，促進(jìn)芯片設計企業(yè)與制造、封裝測試企業(yè)之間的緊密合作，提高整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的效率和質(zhì)量。

　　投資地區更廣

　　相較于一期投資了11個(gè)地區，二期目前投資的55個(gè)企業(yè)分布在14個(gè)地區省份，其中安徽、重慶、陜西、四川、山西、河北是首次投資，和一期投資地區基本分布在沿海城市不同的是，一些西部和北部城市出現在二期的投資視野中，這表明大基金投資動(dòng)向不再局限于東部沿海地區，鼓勵半導體產(chǎn)業(yè)向西部和北部拓展，這將幫助西部和北部城市縮小與東部發(fā)達地區的差距，促進(jìn)區域協(xié)調發(fā)展，并且有助于構建更全面、更合理的半導體產(chǎn)業(yè)布局，在全國范圍內形成多點(diǎn)開(kāi)花的局面，增強產(chǎn)業(yè)的抗風(fēng)險能力和穩定性。

　　大基金三期投資方向預測

　　國家大基金三期于2024年5月28日成立，注冊資本3440億元。存續期限為2024年5月24日至2039年5月23日，從一期、二期的10年延長(cháng)到15年，體現了更長(cháng)遠的發(fā)展戰略。從對前期大基金投資數據的分析中，國家大基金一期和二期在半導體設備和材料領(lǐng)域進(jìn)行了大量投資，為我國芯片產(chǎn)業(yè)的初期發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎。因此，預計國家大基金三期將繼續聚焦于大型半導體制造以及設備、材料、零部件等卡脖子環(huán)節以推動(dòng)國內半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)能擴張?？梢酝茰y三期的投資方向大致有以下幾個(gè)方面：

　　1、半導體材料

　　半導體材料方面，大尺寸硅片、光刻膠、濺射靶材、光掩模、電子特氣和拋光材料等皆未完全實(shí)現國產(chǎn)化替代。其中，光刻膠領(lǐng)域，產(chǎn)能集中于美國、日本等國家，國內本土光刻膠廠(chǎng)商在半導體用光刻膠市場(chǎng)的占比僅為2%，g線(xiàn)（436nm）、i線(xiàn)（365nm）光刻膠國產(chǎn)化率約為10%，KrF光刻膠及ArF光刻膠國產(chǎn)化率僅為1%，極紫外光刻（EUV）和電子束光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)能力亟待突破。

　　2、半導體設備及其零部件

　　大基金三期將更加注重對核心技術(shù)和關(guān)鍵零部件的投資。目前在光刻機、量檢測設備、刻蝕設備等領(lǐng)域國產(chǎn)化率不到10%，而相應的設備零部件國產(chǎn)化率同樣較低，半導體零部件實(shí)現國產(chǎn)替代是提高半導體設備國產(chǎn)化率的前提。因此，搶先突破半導體零部件關(guān)鍵核心技術(shù)短板，成為了國產(chǎn)零部件賽道中突圍的關(guān)鍵點(diǎn)。

　　3、先進(jìn)制造

　　晶圓制造是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中重資產(chǎn)、高研發(fā)投入環(huán)節，也是前兩期大基金的投資重心。目前我國在半導體制造方面主要是成熟工藝制程的優(yōu)勢較大，但是在高端芯片特別是14納米以下的芯片量產(chǎn)還存在較大的技術(shù)難點(diǎn)。

　　4、先進(jìn)封裝

　　隨著(zhù)摩爾定律逐漸接近物理極限，傳統通過(guò)縮小晶體管尺寸來(lái)提升性能的方法面臨挑戰，先進(jìn)封裝技術(shù)成為提升系統整體性能的重要突破。當前AI及HPC等芯片對先進(jìn)封裝技術(shù)的需求日也益提升，其中，以臺積電的CoWoS為目前AI服務(wù)器芯片主力采用者。中國大陸廠(chǎng)商目前在CoWoS這一特定細分領(lǐng)域還沒(méi)有形成突破。據集邦咨詢(xún)的數據，隨著(zhù)需求飆升，臺積電預估至2024年底CoWoS每月產(chǎn)能將逼近40k，相較2023年總產(chǎn)能提升逾150%；2025年規劃總產(chǎn)能有機會(huì )幾近倍增。先進(jìn)封裝有望成為大基金三期關(guān)注賽道。

　　5、HBM

　　HBM可以說(shuō)就是疊在一起的DRAM，有高帶寬、低功耗與體積小等優(yōu)點(diǎn)，尤為匹配AI芯片的運行。因為AI芯片為了處理大量并行數據，需要高算力和大帶寬的內存。不過(guò)，HBM目前在供給層面幾乎被SK海力士、三星、美光三家企業(yè)壟斷。SemiAnalysis數據顯示，HBM現況約為SK海力士73%、三星22%、美光5%。市調機構Gartner預估，2023年全球HBM銷(xiāo)售規模為20.05億美元，2025年將翻倍到49.76億美元。

　　6、AI芯片

　　隨著(zhù)生成式AI涌現以及AI應用進(jìn)一步落地，全球高算力的AI芯片一直處于結構性緊缺狀態(tài)。目前英偉達是全球最大的AI芯片供應商，其市場(chǎng)份額占據了絕對的領(lǐng)先地位。據華經(jīng)情報網(wǎng)數據，2022年中國AI加速卡出貨量約為109萬(wàn)張，其中英偉達在中國AI加速卡市場(chǎng)份額為85%，華為市占率為10%，百度市占率為2%。國產(chǎn)AI芯片仍有相當大的發(fā)展空間，AI芯片有望成為大基金三期新的投資重點(diǎn)。

　　7、投資地區

　　西部和北部地區在工業(yè)、通信、智能設備等領(lǐng)域的發(fā)展對半導體產(chǎn)品的需求不斷增長(cháng)。提前布局投資，可以更好地滿(mǎn)足當地市場(chǎng)的需求，并帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級。并且隨著(zhù)東部地區產(chǎn)業(yè)結構的調整和升級，半導體產(chǎn)業(yè)向西部和北部轉移或將成為一種趨勢。對于推動(dòng)我國半導體產(chǎn)業(yè)的全面發(fā)展、區域協(xié)調以及產(chǎn)業(yè)布局的優(yōu)化都具有重要意義。

來(lái)源：儀器信息網(wǎng)